ALD 原子层沉积原理通过在工艺循环周期内分步向真空腔内添加前驱体、实现对膜层厚度的精确控制。区别于普通CVD或PECVD原理，ALD可沉积超薄的、无针孔和颗粒的膜层，例如在3D结构上沉积几个纳米厚的薄膜，同时具有出色的均匀性和优秀的保形比。